воскресенье, 20 декабря 2009 г.

В этом посте:


Геймерские корпусные вентиляторы GELID серии WING 12 PL
Клавиатура Oklick 480S с подсветкой любого цвета
Intel усовершенствовала транзисторы следующего поколения
Google создает собственный нетбук?
Новые достижения: 40-мкм карта мира и 16-нм чипы


Геймерские корпусные вентиляторы GELID серии WING 12 PL

Геймерские корпусные вентиляторы GELID серии WING 12 PL 19.12.2009 [13:43], Руслан Цап Заядлым любителям современных 3D-игр, желающим оснастить свои настольные ПК эффективными и одновременно тихими средствами для поддержания оптимального температурного режима установленных в системном блоке компонентов, компания GELID Solutions адресует корпусные вентиляторы новой серии WING 12 PL. В данной линейке пока представлены две модели типоразмера 120 x 120 x 25 мм, из которых одна имеет синюю крыльчатку и голубую светодиодную подсветку, а другая обладает зелёной крыльчаткой и белой светодиодной подсветкой. Обе новинки построены с применением запатентованной фирменной технологии GELID Nanoflux Bearing (NFB), благодаря которой заметно повышается износостойкость изделий и одновременно снижается уровень производимого ими во время работы шума. Кроме того, реализована возможность лёгкого извлечения крыльчатки для упрощения процесса её очистки от накопившейся со временем пыли. Что же касается прочих технических характеристик данных "пропеллеров", то они таковы: Скорость вращения: от 600 до 1800 оборотов в минуту (управляется методом широтно-импульсной модуляции); Создаваемый воздушный поток: до 75,6 CFM; Гарантированное время безотказной работы: 100000 часов при температуре +40 градусов по шкале Цельсия; Максимальный уровень шума: 26,8 дБ; Вес: 120 г. Рекомендованная производителем цена на изделия, обеспечиваемые трёхлетней гарантией качества, установлена в размере 13 евро. Материалы по теме: - Тихие корпусные вентиляторы GlacialTech третьего поколения; - Тихий 120-мм «пропеллер» Akasa APACHE BLACK; - Корпусные вентиляторы Arctic Cooling серии ARCTIC F PWM. GELID Solutions Рубрики: системные блоки, корпуса, корпусные панели, аксессуары системы охлаждения Теги: вентилятор, GELID, WING, 12, PL



Клавиатура Oklick 480S с подсветкой любого цвета

Клавиатура Oklick 480S  с подсветкой любого цвета 19.12.2009 [22:05], Марат Габитов Зимой практически всегда приходится использовать комнатное освещение, так как продолжительность светового дня крайне невелика. Если же включить свет возможности не имеется, то для комфортной работы за компьютером подойдёт клавиатура с подсветкой клавиш. Ассортимент подобных решений пополнился новой моделью Oklick 480S, которая примечательна тем, что пользователь сам сможет выбрать подходящий для себя цвет подсветки. Прозрачные символы, нанесённые на клавиши Oklick 480S Illuminated, подсвечиваются изнутри, причём сидящие за компьютером могут сами выбрать цвет и яркость их подсветки. Любимый оттенок выбирается с помощью регулировки уровня интенсивности трёх базовых цветов RGB (красный, зелёный, синий). Дополнительные автоматические режимы позволят клавиатуре непрерывно менять цвет и яркость подсветки символов. Кроме того, имеются пользовательские функции клавиатуры. Низкопрофильные клавиши имеют мягкий ход, так что шум от клавиатуры должен быть минимальным. Дополнительные «горячие» кнопки предоставляют прямой доступ к часто используемым приложениям и программам: Интернету, электронной почте, управлению мультимедийными файлами. Клавиатура подключается к компьютеру через USB-порт и не требует установки дополнительного программного обеспечения. Новинку уже можно приобрести в рознице, обойдётся Oklick 480S примерно в полторы тысячи рублей. Материалы по теме: - Клавиатуры Oklick 420 M, 430 M, 440 M - без изысков, но с изюминкой; - Клавиатура, мышь и пульт ДУ в Genius LuxeMate T810; - Три клавиатуры Oklick для дома и офиса. Рубрики: манипуляторы, устройства ввода графики Теги: клавиатура, подсветка, Oklick



Intel усовершенствовала транзисторы следующего поколения

Intel усовершенствовала транзисторы следующего поколения 20.12.2009 [09:00], Денис Борн Intel заявила об успешном изготовлении полевого транзистора с использованием индий-галлий-арсенида (InGaAs) на кремниевой подложке путём интегрирования затвора с высокой диэлектрической постоянной. Изолятор с высоким значением этого параметра позволяет уменьшить толщину оксида затвора без последствий в виде роста утечек зарядов. Получившийся комплексный полупроводниковый элемент с квантовыми ямами (quantum-well FET, QFET; квантовая яма – это структура, где частицы ограничены одной координатой) продемонстрировал высокие скорость переноса и ток возбуждения, что делает архитектуру InGaAs-on-Si привлекательным решением, но масштаб элементов должен быть снижен перед коммерциализацией технологии. По словам вице-президента Technology and Manufacturing Group и директора подразделения исследований компонентов в Intel Labs Майка Мэйберри (Mike Mayberry), длина затвора составляет 40 нм, однако контакты по-прежнему большие. Следующая задача заключается в их уменьшении, что минимизирует барьер между металлическими контактами и квантовой ямой. Intel более трёх лет работает над составными полупроводниками с целью интегрирования быстродействующих InGaAs-транзисторов на кремниевых подложках. Были преодолены несколько препятствий на пути к коммерциализации полупроводников класса III-V (с элементами соответствующих групп периодической таблицы), включая возможность объединения транзисторов из кремния и InGaAs на одном кристалле и создание элементов p- и n-типа. Чипмейкер разработал диэлектрик с высоким значением диэлектрической постоянной (high-k dielectric), отличный от материала, используемого в кремниевых транзисторах. В новом high-k-материале используется комплексная структура из 4-нм слоя тантала и оксида кремния на 2-нм запирающем слое из индий-фосфора. Чтобы получить высокую мобильность переноса в QFET, два материала буферного слоя – индий-алюминий-арсенид и индий-фосфор – были размещены между диэлектриком и квантовой ямой. Мэйберри уверен, что транзисторы класса III-V могут начать вытеснять традиционные кремниевые технологии с 2015 года, но только если задачи интеграции будут решены. В противном случае такие элементы всё равно станут кандидатами на совмещение с кремнием для специализированных областей, таких как фотонные устройства и транзисторы для периферийной поддержки работы чипа. Материалы по теме: - Новые материалы для транзисторов; - Toshiba представила спинтронный транзистор; - IT-Байки: Электроника-2020 – жизнь после смерти кремния. eetimes.com Рубрики: процессоры рынок IT Комментарии последних событий нанотехнологии Теги: Intel, InGaAs, транзистор, чип, QFET



Google создает собственный нетбук?

Google создает собственный нетбук? 19.12.2009 [02:33], Татьяна Смирнова Вслед за слухами о том, что Google разрабатывает собственный мобильный телефон Nexus One, в Сети появилась неожиданная информация. Согласно западным СМИ, софтверный гигант работает над фирменным нетбуком. Портативный компьютер Google может выйти в конце 2010 года, одновременно с релизом Chrome OS. Если это подтвердится, то Google вновь посягнет на поле деятельности Apple – сначала мобильная ОС и браузер, затем мобильные телефоны, ОС для компьютеров, а вскоре и ноутбуки. Nexus One Как сообщает Appleinsider со ссылкой на TechCrunch, Google вела переговоры как минимум с одним компьютерным вендором, который взялся бы за производство устройства непосредственно для компании. Google не торопится – до релиза Chrome OS еще примерно год. В компании поставлена цель выпустить нетбук к Рождеству 2010 года. Он будет недорогим. «Гуглофон» Nexus One должен выйти в следующем месяце, хотя официального анонса еще не было. Материалы по теме: - Фотографии и характеристики «гуглофона» Motorola Backflip; - Windows Mobile уступила iPhone на американском рынке; - Google зарегистрировала торговую марку Nexus One. appleinsider.com Рубрики: мобильные телефоны, смартфоны, сотовая связь ноутбуки, мультимедиа-консоли, Tablet PC Теги: google, android, chrome



Новые достижения: 40-мкм карта мира и 16-нм чипы

Новые достижения: 40-мкм карта мира и 16-нм чипы 20.12.2009 [12:06], Денис Борн Тайваньские учёные создали микроскопические чипы, которые могут лечь в основу более лёгкой и дешёвой электроники – портативных компьютеров, мобильных телефонов, плееров. Согласно заявлению Национальной лаборатории наноустройств (National Nano Device Laboratories) в Хсинчу, её исследователи достигли успеха в размещении большего количества транзисторов на меньшей площади кристалла, чем в любой из существующих разработок. An electronic image shows six transistors installed in a space measuring 300 nanometres by 130 nanometres on a microchip developed by Сегодня лишь изредка встречаются ноутбуки с массой менее 1,5 кг, однако новая технология, по словам возглавляющего лабораторию Янга Фу-лианга (Yang Fu-liang), может снизить её втрое. Аналитик издания Digitimes Нобунага Чеи (Nobunaga Chai) назвал достижение "самой продвинутой технологией чипов". Янг со своей командой работает над 16-нм техпроцессом, относящимся к пространству между транзисторами на кристалле. Чем оно меньше, тем выше плотность размещения элементов. Для сравнения: в среднем длина ногтевой фаланги человека составляет 25 млн нм, или 25 мм. 16 нм – это огромный вызов для учёных и рассматривается как "последний рубеж". Другое достижение в миниатюризации продемонстрировали исследователи из Университета Гента (Ghent University) в Бельгии, которые разместили крошечную карту мира – её масштаб равен 1 к 1 трлн – на оптическом кремниевом чипе. Окружность Земли на экваторе (40000 км) была уменьшена до 40 мкм, или до половины толщины волоса человека. Карта поместилась в углу чипа, созданного в рамках проекта для Группы исследований фотоники (Photonics Research Group) при университете. Идея состояла в демонстрации возможности масштабного уменьшения комплексных оптических компонентов. Подобные чипы могут найти применение в телекоммуникациях, высокопроизводительных вычислениях, биотехнологиях и здравоохранении. Самые мелкие детали на карте имеют размер около 100 нм. Её создание включало 30 производственных этапов и четыре разных слоя с различной толщиной. Технологии кремниевой фотоники – это развивающаяся область исследований, объединяющая оптические схемы в небольших чипах. Манипуляции со светом производятся в субмикрометровом масштабе в крошечных фотонных проводниках, или волноводах. Такие кремниевые микросхемы могут содержать в миллионы раз больше компонентов по сравнению с использованием традиционной "стеклянной" фотоники. Материалы по теме: - IBM: 11 нм не предел для кремниевых чипов; - Tilera собирается выпустить стоядерные процессоры; - 48-ядерный процессор Intel: чип вместо ЦОД. www.photonics.intec.ugent.be, www.physorg.com Рубрики: процессоры рынок IT интересности из мира HiTech Комментарии последних событий нанотехнологии Теги: чип, транзистор, карта, техпроцесс, нано




Комментариев нет:

Отправить комментарий