В этом посте:

Zii TRINITY - платформа для смартфонов нового поколения
iPhone 3G 8ГБ и 16ГБ - опять в продаже.
Формат SDXC приходит в ноутбуки
30-нм DDR NAND-память Samsung: до 133 Мбит/с
Новое поколение дешёвой и компактной памяти на мультиферроиках

---

Zii TRINITY - платформа для смартфонов нового поколения

01.12.2009 [12:00], Александр Будик Сегодня в Китае проходит мероприятие Zii Summit 2009, в рамках которого компания ZiiLABS (собственность Creative) представила новую платформу для смартфонов следующего поколения – Zii TRINITY. Она предназначена для устройств 3.5G, включает поддержку оптимизированной версии Android и ОС Plaszma на базе Linux, а также предусматривает поддержку видео формата Full HD 1080p и ускорение трёхмерной графики. Широкие возможности платформы обеспечиваются мощными процессорами ZiiLABS ZMS-05 и ZMS-08, которые воплощают концепцию StemCell Computing. Чип ZMS-05 стал первым продуктом такого рода и был представлен в январе этого года, а ZMS-08 вышел в свет всего пару недель назад. В рамках Zii Summit 2009 демонстрируется концепт телефона Zii TRINITY 3.5G. Он поддерживает работу в сетях GSM/GPRS/EDGE, WCDMA, HSDPA, оборудован процессором ZMS-05, включает 3,1-дюймовый активно-матричный OLED-дисплей с разрешением 800 х 480 пикселей и ёмкостной мультисенсорной панелью, порты Mini HDMI и USB 2.0 Micro, композитный видеовыход, 5-Мп камеру с автофокусом, VGA-камеру для видеоконференций, гнездо microSD, 256 Мб низковольтной DDR-памяти, контроллер Wi-Fi 802.11b/g, Bluetooth 2.1 EDR, аппаратный GPS-модуль. Питание осуществляется от литиево-полимерной батареи емкостью 1130 мАч. В настоящее время ZiiLABS предлагает производителям телефонов и операторам комплект разработчика "3G Phone Edition". Следующая версия платформы будет включать поддержку 4G-сетей, таких как WiMAX и LTE. Материалы по теме: - Ergo ZEN mini – доступный аудио/видеопроигрыватель; - Creative MediaBook – электронная книга или медиаплеер? - Creative Zii: "стволовые клетки" в кремниевом мире. Zii Рубрики: рынок IT мобильные телефоны, смартфоны, сотовая связь Теги: zii, stemcell, creative, телефон, смартфон

iPhone 3G 8ГБ и 16ГБ - опять в продаже.

iPhone 3G 8ГБ и 16ГБ - опять в продаже.[вторник, 1 декабря 2009 г, 15:03] iPhone 3G, почти исчезнувшие из розничных сетей, снова появились в iProfi. Доступна ограниченная партия iPhone 3G 8 и 16ГБ по следующим ценам: iPhone 3G 8GB Black / MB489RS/A - 26 990 руб., iPhone 3G 16GB Black / MB496RS/A - 28 990 руб. Источник: Добавил:

Формат SDXC приходит в ноутбуки

01.12.2009 [11:38], Александр Будик Многие современные ноутбуки и нетбуки поставляются со встроенным SD/SDHC-кардридером. Этот формат карт памяти является одним из самых популярных сегодня, но уже вскоре ему на смену придёт новый стандарт SDXC, анонсированный ещё на январской выставке CES 2009. Как отмечает источник, производители Lenovo, Hewlett-Packard и Dell уже сейчас активно работают над добавлением поддержки SDXC-карт в свои продукты. Возможно, дебют SDXC в ноутбуках состоится одновременно с представлением 32-нм мобильных процессоров Intel Arrandale. Первые экземпляры ноутбуков с SDXC-кардридерами, скорее всего, можно будет увидеть на выставке CES 2010. Новые карты памяти поддерживают скорость передачи данных вплоть до 300 Мб/с. При этом их максимальная ёмкость составляет 2 Тб. Формат SDXC обратно совместим с предыдущим поколением, поэтому карты памяти SD, SDHC и MMC без проблем будут работать с новым кардиридером. Материалы по теме: - Новый стандарт для "флэшек" MMC/e-MMC; - Toshiba представила первую в мире карту 64 Гб SDXC; - Карты памяти стандарта SDXC смогут вместить до 2 Тб данных . Dailytech Рубрики: рынок IT память (RAM/FLASH/etc.), USB/FireWire-контроллеры, смарт-карты и пр. ноутбуки, мультимедиа-консоли, Tablet PC Теги: память, карта, флеш, sdxc, dell, hp, lenovo

30-нм DDR NAND-память Samsung: до 133 Мбит/с

01.12.2009 [14:39], Александр Будик Вслед за представлением своих последних достижений в области трёхбитной памяти компания Samsung Electronics заявила о запуске первого в отрасли массового производства 32-гигабитных чипов MLC NAND с асинхронным DDR-интерфейсом, выполненных по проектным нормам "30-нм класса". OEM-партнеры компании начали получать первые партии памяти DDR NAND в конце прошлого месяца. Память DDR NAND предназначена для мобильных устройств, которым требуются высокие скорости передачи данных и большое хранилище информации. Традиционные решения MLC NAND с SDR-интерфейсом обеспечивают скорость чтения до 40 Мбит/с, тогда как новая память характеризуется скоростью чтения 133 Мбит/с. По мнению Samsung, её DDR NAND чипы с успехом найдут применение в SSD-накопителях, SD-картах премиум-класса для смартфонов, модулях moviNAND, а также мультимедийных карманных плеерах и автомобильных навигационных системах. Согласно данным аналитической компании Gartner, мировой рынок NAND-памяти в 2009 году достигнет $13,8 млрд в денежном выражении, а к 2012 году увеличится до $23,6 млрд. Материалы по теме: - Флэшка Patriot Xporter XT Boost 32 Gb - объем и скорость; - JetFlash V15 и JetFlash V30 – две флэшки от Transcend; - Samsung разработала 32-Гб память толщиной 0,6 мм. Samsung Рубрики: рынок IT память (RAM/FLASH/etc.), USB/FireWire-контроллеры, смарт-карты и пр. Теги: ddr, nand, samsung, память, чип

Новое поколение дешёвой и компактной памяти на мультиферроиках

01.12.2009 [09:45], Денис Борн Команда французских исследователей продемонстрировала новый способ создания компактной цифровой памяти для портативной электроники, потребляющей меньше энергии. Это стало возможным благодаря мультиферроикам – классу материалов, комбинирующих необычные электрические и магнитные свойства. На микроскопическом уровне атомы и молекулы генерируют электрические и магнитные поля. В большем масштабе в случае многих кристаллов эти свойства частиц сводят на нет действия друг друга. Но иногда в определённых составах, известных как ферромагнетики, магнитные свойства существуют на макроскопическом уровне и превращают материалы в магниты. Реже встречается электрическая упорядоченность в ферроэлектриках. И совсем особый случай – комбинация электрических и магнитных характеристик, как в мультиферроиках. Более того, в этих материалах поля взаимодействуют, что предоставляет способ контролировать спины атомов посредством электрического поля. Это открывает новые перспективы, особенно в хранении информации. Исследователи из Лаборатории физики твёрдого тела (Laboratoire de Physique des Solides) и других научных организаций синтезировали состав со свойствами мультиферроика BiFeO3 и продемонстрировали взаимодействие между его электрическими и магнитными свойствами. Затем был создан материал из одного слоя BiFeO3 и ферромагнитной плёнки, на котором учёные показали возможность манипулировать ориентацией намагничивания частиц путём приложения электрического поля. Результаты подтверждают концепцию хранения и записи "магнитных" данных. В сегодняшних жёстких дисках биты записываются определяющим намагничивание магнитным полем. Два возможных состояния обозначают 1 и 0. В случае мультиферроика каждый элемент памяти может находиться в четырёх состояниях (два в соответствии с электрической поляризацией и ещё два - намагниченностью). Возможность записывать и стирать данные электрическим полем имеет ключевой характер для развития мобильной электроники по двум причинам. Во-первых, генерирование такого поля требует меньше энергии, а значит аккумуляторы прослужат дольше. Во-вторых, оно более локально, то есть на единице площади может быть размещено больше элементов памяти. Материалы по теме: - Первые прототипы 32-нм оптоэлектронных чипов; - 10 самых перспективных технологий будущего года; - IT-Байки: За миллиард лет до стирания памяти. physorg.com Рубрики: жесткие диски, контроллеры, системы хранения данных, интерфейсы интересности из мира HiTech память (RAM/FLASH/etc.), USB/FireWire-контроллеры, смарт-карты и пр. нанотехнологии на острие науки Теги: память, мультиферроик, ферромагнетик, ферроэлектрик, спин

---